NPN-Transistor BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V
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NPN-Transistor BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Gehäuse: TO-92. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 25V. Kollektorstrom: 100mA. Kollektorstrom Ic [A], max.: 100mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Anwendungen: RF-POWER. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. CE-Diode: nein. FT: 1100 MHz. Frequenz: 550MHz. Funktion: TV-IF. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 750 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BF199. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 25V. Kollektorstrom Ic [A]: 25uA. Komponentenfamilie: Hochfrequenz -NPN -Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 3.5pF. Max Frequenz: 400MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.35W. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 4 v. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31