NPN-Transistor BFP193E6327, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Kollektorstrom: 80mA. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Anzahl der Terminals: 4. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 0.9pF. CE-Diode: nein. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RCs. Kosten): 0.28pF. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code-RCs. Transistortyp: NPN. VCBO: 20V. Vebo: 2V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 13:31