NPN-Transistor BU2527AF, SOT-199, 12A, 800V
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NPN-Transistor BU2527AF, SOT-199, 12A, 800V. Gehäuse: SOT-199. Kollektorstrom: 12A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Funktion: CRT-HA hi-re. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 45W. RoHS: ja. Spec info: SOT199 (F). Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 02/01/2026, 05:21
BU2527AF
12 Parameter
Gehäuse
SOT-199
Kollektorstrom
12A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Funktion
CRT-HA hi-re
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
45W
RoHS
ja
Spec info
SOT199 (F)
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors