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NPN-Transistor BU808DFX-PMC, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V
Menge
Stückpreis
1-4
4.95€
5-24
4.38€
25-49
3.76€
50+
3.46€
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
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NPN-Transistor BU808DFX-PMC, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218, 700V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Widerstand: 260 Ohms. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: hFE 60...230, isoliertes Kunststoffgehäuse. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Menge pro Karton: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Spec info: Fallzeit 0,8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1400V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Pmc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31
BU808DFX-PMC
18 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOWATT218
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
700V
Anzahl der Terminals
3
BE-Widerstand
260 Ohms
Darlington-Transistor?
ja
Funktion
hFE 60...230, isoliertes Kunststoffgehäuse
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Menge pro Karton
2
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
62W
Spec info
Fallzeit 0,8us
Transistortyp
NPN
VCBO
1400V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Pmc