NPN-Transistor BUH1015HI, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V

NPN-Transistor BUH1015HI, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V

Menge
Stückpreis
1-4
2.58€
5-24
2.24€
25-49
2.00€
50+
1.76€
Menge auf Lager: 224

NPN-Transistor BUH1015HI, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Kollektorstrom: 14A. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-ISO. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 3. FT: kHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: hi-res, monitor 19. Ic(Impuls): 18A. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 7. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Spec info: Icmax--18A <5mS. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Sgs. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BUH1015HI
24 Parameter
Kollektorstrom
14A
Gehäuse
ISOWATT218FX
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-218-ISO
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
700V
Anzahl der Terminals
3
FT
kHz
Funktion
Schnelles Hochspannungsschalten
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
hi-res, monitor 19
Ic(Impuls)
18A
Maximaler hFE-Gewinn
14
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
7
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
Spec info
Icmax--18A <5mS
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
220 ns
Tf(min)
110 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
Sgs