NPN-Transistor BUH1215, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V

NPN-Transistor BUH1215, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V

Menge
Stückpreis
1-4
5.18€
5-9
4.56€
10-24
4.10€
25-49
3.77€
50+
3.33€
Menge auf Lager: 365

NPN-Transistor BUH1215, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218 ( SOT93 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 3. FT: kHz. Funktion: Hochspannungs-Schnellschalttransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 22A. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Icm.22A <5ms. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 12:31

Technische Dokumentation (PDF)
BUH1215
23 Parameter
Kollektorstrom
16A
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-218 ( SOT93 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
700V
Anzahl der Terminals
3
FT
kHz
Funktion
Hochspannungs-Schnellschalttransistor
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
22A
Maximaler hFE-Gewinn
14
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Spec info
Icm.22A <5ms
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
210 ns
Tf(min)
110 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics