NPN-Transistor BUL45GD2G, 5A, TO-220, TO220AB CASE 221A-09, 400V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220AB CASE 221A-09. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: nein. CE-Diode: ja. FT: 13 MHz. Funktion: Bipolarer NPN-Leistungstransistor mit hoher Geschwindigkeit und hoher Verstärkung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Kosten): 50pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Maximaler hFE-Gewinn: 34. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 22. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Built-in Efficient Antisaturation Network. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.28V. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 12V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57