NPN-Transistor BUT18AF, 6A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 10 MHz. Funktion: Hochspannung, hohe Geschwindigkeit. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 12A. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.8us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Inchange Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57