NPN-Transistor BUV26, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V
Menge
Stückpreis
1-4
1.88€
5-24
1.62€
25-49
1.43€
50-99
1.29€
100+
1.09€
| Menge auf Lager: 43 |
NPN-Transistor BUV26, 20A, TO-220, TO-220 CASE 221A, 190V. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220 CASE 221A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 190V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+175°C. CE-Diode: nein. Funktion: Entwickelt für Hochgeschwindigkeitsanwendungen. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 85W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Tf(max): 150 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 180V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 08:57
BUV26
20 Parameter
Kollektorstrom
20A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220 CASE 221A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
190V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+175°C
CE-Diode
nein
Funktion
Entwickelt für Hochgeschwindigkeitsanwendungen
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
85W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.6V
Tf(max)
150 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
180V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor