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NPN-Transistor BUW11, 5A, 400V
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NPN-Transistor BUW11, 5A, 400V. Kollektorstrom: 5A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. CE-Diode: ja. Funktion: S-L. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 100W. Transistortyp: NPN. VCBO: 850V. Originalprodukt vom Hersteller: Philips Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:16
BUW11
10 Parameter
Kollektorstrom
5A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
400V
CE-Diode
ja
Funktion
S-L
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
100W
Transistortyp
NPN
VCBO
850V
Originalprodukt vom Hersteller
Philips Semiconductors