NPN-Transistor BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

NPN-Transistor BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V

Menge
Stückpreis
1-4
1.05€
5-24
0.88€
25-49
0.77€
50-99
0.69€
100+
0.58€
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NPN-Transistor BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 2A. Kollektorstrom: 2A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Funktion: S-L. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: BUX85G. Ic(Impuls): 3A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Kollektorstrom Ic [A]: 2A. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 40W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 1kV. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.8V. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:16

Technische Dokumentation (PDF)
BUX85
36 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom Ic [A], max.
2A
Kollektorstrom
2A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
450V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
4 MHz
Funktion
S-L
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220
Grenzfrequenz ft [MHz]
4 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
BUX85G
Ic(Impuls)
3A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
450V
Kollektorstrom Ic [A]
2A
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konditionierung
tubus
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
40W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
50W
Maximaler hFE-Gewinn
50
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
1kV
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.8V
Transistortyp
NPN
VCBO
1000V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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