NPN-Transistor D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V

NPN-Transistor D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V

Menge
Stückpreis
1-4
1.43€
5-24
1.19€
25-49
1.06€
50-99
0.98€
100+
0.85€
Menge auf Lager: 69

NPN-Transistor D45H11, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 40 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 20A. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: Paar D44H11. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Vebo: 5V. Äquivalente: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)
D45H11
26 Parameter
Kollektorstrom
10A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
40 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
20A
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Maximaler hFE-Gewinn
60
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
40
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Spec info
Paar D44H11
Tf(max)
100 ns
Tf(min)
100 ns
Transistortyp
PNP
VCBO
80V
Vebo
5V
Äquivalente
Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics