NPN-Transistor FJL4315-O, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V

NPN-Transistor FJL4315-O, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V

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NPN-Transistor FJL4315-O, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorstrom: 17A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -50...+150°C. FT: 30 MHz. Funktion: HALLO-FI. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J4315O. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) FJL4215-O. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41

Technische Dokumentation (PDF)
FJL4315-O
23 Parameter
Kollektorstrom
17A
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-264
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-50...+150°C
FT
30 MHz
Funktion
HALLO-FI
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
J4315O
Maximaler hFE-Gewinn
160
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
80
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) FJL4215-O
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Technologie
„Epitaktischer Siliziumtransistor“
Transistortyp
NPN
VCBO
250V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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