NPN-Transistor FJN3302R, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 100mA. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. FT: 250 MHz. Funktion: Schaltkreise. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 300mA. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. RoHS: ja. Spec info: SAMSUNG 0504-000117. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41