NPN-Transistor FJP13009, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 12A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 24A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: J13009. Kosten): 180pF. Maximaler hFE-Gewinn: 17. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 100W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.7us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 16:41