NPN-Transistor KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

NPN-Transistor KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V

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8.68€
5-9
7.89€
10-19
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NPN-Transistor KSC5386TU, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Kollektorstrom: 7A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: ja. FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C5386. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Maximaler hFE-Gewinn: 22. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Spec info: VEBO 6V. Sättigungsspannung VCE(sat): 4.2V. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 6V. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27

Technische Dokumentation (PDF)
KSC5386TU
30 Parameter
Kollektorstrom
7A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3PF
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
10
CE-Diode
ja
FT
kHz
Funktion
High Switching 0.1us
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
16A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C5386
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
30
Maximaler hFE-Gewinn
22
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
8:1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Spec info
VEBO 6V
Sättigungsspannung VCE(sat)
4.2V
Technologie
„Triple Diffused Planar Silicon Transistor“
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.2us
Tf(min)
0.1us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
6V