NPN-Transistor KTA1266Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

NPN-Transistor KTA1266Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V

Menge
Stückpreis
1-4
4.69€
5-24
4.43€
25-49
4.17€
50-99
3.91€
100+
3.41€
Menge auf Lager: 25

NPN-Transistor KTA1266Y, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.15A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: nein. FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 3.7pF. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Vebo: 5V. Widerstand B: 10. Originalprodukt vom Hersteller: Korea Electronics Semi. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27

Technische Dokumentation (PDF)
KTA1266Y
24 Parameter
Kollektorstrom
0.15A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
10
CE-Diode
nein
FT
80 MHz
Funktion
SWITCHING APPLICATION
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
3.7pF
Maximaler hFE-Gewinn
240
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
120
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.1V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
50V
Vebo
5V
Widerstand B
10
Originalprodukt vom Hersteller
Korea Electronics Semi.