NPN-Transistor KTB778, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3P ( H ) IS, 120V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( H ) IS. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 10 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audioverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B778. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kosten): 280pF. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KTD998. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Korea Electronics Semi. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27