NPN-Transistor MD2009DFX, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 700V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Funktion: FAST-SWITCH. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Maximaler hFE-Gewinn: 18. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05