NPN-Transistor MJ11015G, TO-3 ( TO-204 ), TO-204AA, -120V, 30A, 120V, 30A, TO-3, 120V. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -120V. Kollektorstrom: 30A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 4MHz. Betriebstemperatur: -55...+200°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -120V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 200. Darlington-Transistor?: ja. Eingebaute Diode: ja. FT: 4 MHz. Funktion: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJ11015G. Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Information: -. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 200W. MSL: -. Max Frequenz: 4MHz. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Menge pro Karton: 2. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Chassis -Berg. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Serie: MJ11015G. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11016. Strom max 1: -30A. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Transistortyp: PNP. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05