NPN-Transistor MJ11032G, TO-3, 120V, 50A, 50A. Gehäuse: TO-3. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 120V. Kollektorstrom: 50A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: MJ11032G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 300W. Max Frequenz: 30MHz. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Typ: Darlington-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27