NPN-Transistor MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V

NPN-Transistor MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V

Menge
Stückpreis
1-4
12.50€
5-9
11.53€
10-24
10.76€
25-49
10.10€
50+
9.21€
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NPN-Transistor MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 140V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. Kollektorstrom: 20A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 2MHz. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 140V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. FT: 2 MHz. Funktion: Leistungstransistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJ15003G. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 140V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 250W. MSL: -. Max Frequenz: 2MHz. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Chassis -Berg. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15004. Strom max 1: 20A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Transistortyp: NPN. Typ: Leistung. VCBO: 140V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05

Technische Dokumentation (PDF)
MJ15003G
43 Parameter
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
140V
Kollektorstrom Ic [A], max.
20A
Kollektorstrom
20A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
140V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Bandbreite MHz
2MHz
Betriebstemperatur
-65...+200°C
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
140V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
25
FT
2 MHz
Funktion
Leistungstransistor
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-204AA
Grenzfrequenz ft [MHz]
2 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
MJ15003G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
140V
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
250W
Max Frequenz
2MHz
Maximale Temperatur
+200°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
250W
Maximaler hFE-Gewinn
150
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Chassis -Berg
Pd (Verlustleistung, max)
250W
Polarität
NPN
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJ15004
Strom max 1
20A
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Transistortyp
NPN
Typ
Leistung
VCBO
140V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor