NPN-Transistor MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

NPN-Transistor MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A

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NPN-Transistor MJ15025G, -250V, TO-3, -16A, TO-204AA, 250V, 16A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -250V. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom: -16A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 16A. Anzahl der Terminals: 3. Bandbreite MHz: 4MHz. Collector-Base-Spannung VCBO: -400V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 5. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Herstellerkennzeichnung: MJ15025G. Information: -. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 250W. MSL: -. Max Frequenz: 4 MHz. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Montageart: Chassis -Berg. Polarität: PNP. RoHS: ja. Strom max 1: -16A. Transistortyp: Leistungstransistor. Typ: Leistung. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27

Technische Dokumentation (PDF)
MJ15025G
25 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-250V
Gehäuse
TO-3
Kollektorstrom
-16A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
250V
Kollektorstrom Ic [A], max.
16A
Anzahl der Terminals
3
Bandbreite MHz
4MHz
Collector-Base-Spannung VCBO
-400V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
5
Grenzfrequenz ft [MHz]
4 MHz
Herstellerkennzeichnung
MJ15025G
Komponentenfamilie
Hochspannungs-PNP-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
250W
Max Frequenz
4 MHz
Maximale Temperatur
+200°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
250W
Montageart
Chassis -Berg
Polarität
PNP
RoHS
ja
Strom max 1
-16A
Transistortyp
Leistungstransistor
Typ
Leistung
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi