NPN-Transistor MJ21195, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V

NPN-Transistor MJ21195, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V

Menge
Stückpreis
1-4
13.86€
5-9
12.40€
10-24
11.24€
25-49
10.26€
50+
8.93€
Menge auf Lager: 80

NPN-Transistor MJ21195, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204AA ), 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204AA ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 4 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Kosten): 4pF. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ21196. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Transistortyp: PNP. VCBO: 400V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05

Technische Dokumentation (PDF)
MJ21195
23 Parameter
Kollektorstrom
16A
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3 ( TO-204AA )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
2
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
FT
4 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Kosten)
4pF
Maximaler hFE-Gewinn
75
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
250W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJ21196
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.4V
Transistortyp
PNP
VCBO
400V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor