NPN-Transistor MJD44H11G, D-PAK, 8A
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NPN-Transistor MJD44H11G, D-PAK, 8A. Gehäuse: D-PAK. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-252. Grenzfrequenz ft [MHz]: 85 MHz. Herstellerkennzeichnung: J44H11. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 80V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 03/11/2025, 06:19
MJD44H11G
13 Parameter
Gehäuse
D-PAK
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-252
Grenzfrequenz ft [MHz]
85 MHz
Herstellerkennzeichnung
J44H11
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
80V
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
20W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi