NPN-Transistor MJE13007-CDIL, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V

NPN-Transistor MJE13007-CDIL, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V

Menge
Stückpreis
1-4
0.92€
5-24
0.78€
25-49
0.69€
50-99
0.62€
100+
0.54€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 81

NPN-Transistor MJE13007-CDIL, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 14 MHz. Funktion: Schaltkreise. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kosten): 3pF. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 8:1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Spec info: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Technologie: Bipolarer Leistungstransistor. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05

Technische Dokumentation (PDF)
MJE13007-CDIL
28 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
400V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
14 MHz
Funktion
Schaltkreise
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
16A
Kosten)
3pF
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
8:1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
80W
RoHS
ja
Spec info
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Technologie
Bipolarer Leistungstransistor
Tf(max)
0.7us
Tf(min)
0.23us
Transistortyp
NPN
VCBO
700V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil

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