NPN-Transistor MJE13009G, TO-220, 12A

NPN-Transistor MJE13009G, TO-220, 12A

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NPN-Transistor MJE13009G, TO-220, 12A. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom Ic [A], max.: 12A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Grenzfrequenz ft [MHz]: 4 MHz. Herstellerkennzeichnung: MJE13009G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 400V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 100W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27

Technische Dokumentation (PDF)
MJE13009G
13 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektorstrom Ic [A], max.
12A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220
Grenzfrequenz ft [MHz]
4 MHz
Herstellerkennzeichnung
MJE13009G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
400V
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
100W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi