NPN-Transistor MJE15031G, -150V, TO-220, 8A, TO-220AB, 150V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -150V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 30MHz. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -150V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 20. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Information: -. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Leistung: 50W. MSL: -. Max Frequenz: 30MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Polarität: PNP. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15030G. Strom max 1: -8A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: PNP. Typ: Leistung. VCBO: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:52