NPN-Transistor MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 250V. Gehäuse: TO-220. Kollektorstrom: 8A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 30MHz. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 250V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 10. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Grenzfrequenz ft [MHz]: 30 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJE15032G. Ic(Impuls): 16A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 4pF. Leistung: 50W. MSL: -. Max Frequenz: 30MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15033. Strom max 1: 8A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: NPN. Typ: Leistung. VCBO: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:52