NPN-Transistor MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A
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NPN-Transistor MJE18004G, TO-220AB, 1000V, 5A, 5A. Gehäuse: TO-220AB. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 5A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Anwendungen: Umschalten. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220. Grenzfrequenz ft [MHz]: 13 MHz. Herstellerkennzeichnung: MJE18004G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 450V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 75W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 75W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Transistortyp: Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27
MJE18004G
19 Parameter
Gehäuse
TO-220AB
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
1000V
Kollektorstrom
5A
Kollektorstrom Ic [A], max.
5A
Anwendungen
Umschalten
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220
Grenzfrequenz ft [MHz]
13 MHz
Herstellerkennzeichnung
MJE18004G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
450V
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
75W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
75W
Polarität
NPN
RoHS
ja
Transistortyp
Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi