NPN-Transistor MJE18008, 8A, TO-220, TO-220AB, 450V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -60...+150°C. C(in): 1750pF. CE-Diode: nein. FT: 13MHz. Funktion: Anwendungen für Schaltnetzteile. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kosten): 100pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.6V. Maximaler hFE-Gewinn: 14. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 34. Pd (Verlustleistung, max): 120W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 1000V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27