NPN-Transistor MJE18008G, 1000V, 8A

NPN-Transistor MJE18008G, 1000V, 8A

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NPN-Transistor MJE18008G, 1000V, 8A. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 8A. Anwendungen: Umschalten. Leistung: 120W. Polarität: NPN. Transistortyp: Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: On Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:36

Technische Dokumentation (PDF)
MJE18008G
7 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
1000V
Kollektorstrom
8A
Anwendungen
Umschalten
Leistung
120W
Polarität
NPN
Transistortyp
Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
On Semiconductor