NPN-Transistor MJE340-ST, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V

NPN-Transistor MJE340-ST, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V

Menge
Stückpreis
1-4
0.83€
5-49
0.71€
50-99
0.62€
100-199
0.54€
200+
0.43€
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 105

NPN-Transistor MJE340-ST, 0.5A, TO-126F, TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126F. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Kunststoffgehäuse. Kosten): 30pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE350. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27

MJE340-ST
25 Parameter
Kollektorstrom
0.5A
Gehäuse
TO-126F
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-225
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
10 MHz
Funktion
NF-L
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
Kunststoffgehäuse
Kosten)
30pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximaler hFE-Gewinn
240
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20.8W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJE350
Transistortyp
NPN
VCBO
300V
Vebo
3V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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