NPN-Transistor MJE340G, 4.87k Ohms, TO-126, 0.5A, 500mA
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NPN-Transistor MJE340G, 4.87k Ohms, TO-126, 0.5A, 500mA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 4.87k Ohms. Gehäuse: TO-126. Kollektorstrom: 0.5A. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: MJE340G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 20W. Max Frequenz: 10MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Transistortyp: NPN-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27
MJE340G
18 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
4.87k Ohms
Gehäuse
TO-126
Kollektorstrom
0.5A
Kollektorstrom Ic [A], max.
500mA
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-225
Herstellerkennzeichnung
MJE340G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
300V
Komponentenfamilie
Hochspannungs-NPN-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
20W
Max Frequenz
10MHz
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
20W
Polarität
NPN
RoHS
ja
Transistortyp
NPN-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi