NPN-Transistor MJE350, TO-126 (TO-225, SOT-32), 0.5A, TO-126, -300V, 300V, 500mA, TO-126, 300V. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -300V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 300V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -300V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 30. FT: 10 MHz. Funktion: -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJE350. Information: -. Kollektorstrom Ic [A]: 0.5A. 500mA. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 20W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 20W. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: MJE350. Spannung (Sammler - Emitter): 4.87k Ohms. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Transistortyp: PNP. Typ: Switching. VCBO: 300V. Vebo: 3V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27