NPN-Transistor MJE5742, 8A, TO-220, TO-220AB, 800V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 100 Ohms (R1), 50 Ohms (R2). Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Tf(min): 2us. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27