NPN-Transistor MJE800G, TO-225, 4A
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NPN-Transistor MJE800G, TO-225, 4A. Gehäuse: TO-225. Kollektorstrom Ic [A], max.: 4A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-225. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Herstellerkennzeichnung: MJE800G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 60V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 40W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:25
MJE800G
12 Parameter
Gehäuse
TO-225
Kollektorstrom Ic [A], max.
4A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-225
Herstellerkennzeichnung
MJE800G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
60V
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
40W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi