NPN-Transistor MJF18004G, 1000V, 5A, TO-220-F

NPN-Transistor MJF18004G, 1000V, 5A, TO-220-F

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NPN-Transistor MJF18004G, 1000V, 5A, TO-220-F. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 1000V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220-F. Anwendungen: Umschalten. Leistung: 35W. Max Frequenz: 13MHz. Polarität: NPN. Transistortyp: Leistungstransistor. Originalprodukt vom Hersteller: On Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:26

Technische Dokumentation (PDF)
MJF18004G
9 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
1000V
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
TO-220-F
Anwendungen
Umschalten
Leistung
35W
Max Frequenz
13MHz
Polarität
NPN
Transistortyp
Leistungstransistor
Originalprodukt vom Hersteller
On Semiconductor