NPN-Transistor MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

NPN-Transistor MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V

Menge
Stückpreis
1-4
2.29€
5-24
2.01€
25-49
1.79€
50+
1.61€
Menge auf Lager: 16

NPN-Transistor MJF18204, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 50. Betriebstemperatur: -65...+175°C. CE-Diode: ja. FT: 13 MHz. Funktion: Schaltkreise. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Kosten): 156pF. Maximaler hFE-Gewinn: 35. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 18. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.83V. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 1200V. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MJF18204
27 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
600V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
50
Betriebstemperatur
-65...+175°C
CE-Diode
ja
FT
13 MHz
Funktion
Schaltkreise
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Kosten)
156pF
Maximaler hFE-Gewinn
35
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
18
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.83V
Tf(max)
175 ns
Tf(min)
110 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
1200V
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor