NPN-Transistor MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V
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NPN-Transistor MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Kollektorstrom: 200mA. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Frequenz: 250MHz. Funktion: UNI. Grenzfrequenz ft [MHz]: 250 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2A. Ic(Impuls): 800mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2A. Kollektorstrom Ic [A]: 0.2A. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 1.6pF. Leistung: 300mW. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 225mW. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Spec info: SMD 2A. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37