NPN-Transistor MMBT5551LT1G, SOT-23, 600mA. Gehäuse: SOT-23. Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Herstellerkennzeichnung: G1. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 160V. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:50