NPN-Transistor MMSS8050-H, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 25V. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: Y1. Kosten): 9pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 200. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Spec info: -. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: M.c.c. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37