NPN-Transistor MMUN2211LT1G, SOT23
Menge
Stückpreis
1-9
0.29€
10-49
0.12€
50-99
0.0780€
100-199
0.0639€
200+
0.0565€
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NPN-Transistor MMUN2211LT1G, SOT23. Gehäuse: SOT23. Basis-Emitter-Widerstand: 10k Ohms. Basisresistentenresistenz: 10k Ohms. Kollektorstrom Ic [A]: 0.1A. Leistung: 0.246W. Montage/Installation: SMD. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 50V. Transistortyp: BRT. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 06:37
MMUN2211LT1G
11 Parameter
Gehäuse
SOT23
Basis-Emitter-Widerstand
10k Ohms
Basisresistentenresistenz
10k Ohms
Kollektorstrom Ic [A]
0.1A
Leistung
0.246W
Montage/Installation
SMD
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
50V
Transistortyp
BRT
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi