NPN-Transistor MUN2212, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: kHz. Funktion: Transistor mit Vorspannungswiderstandsnetzwerk. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: B1GBCFLL0035. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 8B. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 338mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 8B. Technologie: Digitale Transistoren (BRT). Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 07:07