NPN-Transistor PBSS4041PX, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V

NPN-Transistor PBSS4041PX, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
1.32€
5-24
1.15€
25-49
1.03€
50-99
0.96€
100+
0.85€
Menge auf Lager: 95

NPN-Transistor PBSS4041PX, 5A, SOT-89, SOT89 (SC-62), 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT89 (SC-62). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 110 MHz. Funktion: Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: PBSS4041NX. Ic(Impuls): 15A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6g. Kosten): 85pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 300mV. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.6W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code 6G. Sättigungsspannung VCE(sat): 60mV. Tf (Typ): 75 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:22

Technische Dokumentation (PDF)
PBSS4041PX
27 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
SOT-89
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT89 (SC-62)
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
60V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
110 MHz
Funktion
Hochstromschaltung, niedrige Sättigungsspannung
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
PBSS4041NX
Ic(Impuls)
15A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
6g
Kosten)
85pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
300mV
Maximaler hFE-Gewinn
300
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
80
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.6W
Spec info
Siebdruck/SMD-Code 6G
Sättigungsspannung VCE(sat)
60mV
Tf (Typ)
75 ns
Transistortyp
PNP
VCBO
60V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors