NPN-Transistor S2000N, ITO-218, 8A. Gehäuse: ITO-218. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Herstellerkennzeichnung: S2000N. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 1.5 kV. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 50W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Toshiba. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:32