NPN-Transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

NPN-Transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.58€
5-49
0.47€
50-99
0.41€
100-499
0.37€
500+
0.32€
Menge auf Lager: 967

NPN-Transistor STN851, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 130 MHz. Funktion: Schnell schaltender NPN-Leistungstransistor mit niedriger Spannung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 1000. Kosten): 215pF. Maximaler hFE-Gewinn: 350. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.32V. Transistortyp: NPN. VCBO: 150V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:24

STN851
26 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
SOT-223 ( TO-226 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-223
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
60V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
130 MHz
Funktion
Schnell schaltender NPN-Leistungstransistor mit niedriger Spannung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
1000
Kosten)
215pF
Maximaler hFE-Gewinn
350
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.6W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.32V
Transistortyp
NPN
VCBO
150V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics