NPN-Transistor TIP122, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V

NPN-Transistor TIP122, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.64€
5-49
0.54€
50-99
0.47€
100-199
0.42€
200+
0.36€
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NPN-Transistor TIP122, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Funktion: 7k Ohms (R1), 70 Ohms (R2). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP122. Ic(Impuls): 8A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 5A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 60pF. Leistung: 65W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TIP122
42 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
5A
Kollektorstrom
5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
ja
FT
kHz
Funktion
7k Ohms (R1), 70 Ohms (R2)
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
TIP122
Ic(Impuls)
8A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A]
5A
Komponentenfamilie
Darlington NPN-Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konditionierungseinheit
50
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
60pF
Leistung
65W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
65W
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
1000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
65W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) TIP127
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
Typ
Darlington-Transistor
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics