NPN-Transistor TIP122, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V
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NPN-Transistor TIP122, TO-220, 100V, 5A, 5A, TO-220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: kHz. Funktion: 7k Ohms (R1), 70 Ohms (R2). Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP122. Ic(Impuls): 8A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 5A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 50. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 60pF. Leistung: 65W. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08