NPN-Transistor TIP132, TO-220, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V

NPN-Transistor TIP132, TO-220, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
0.94€
5-24
0.79€
25-49
0.70€
50-99
0.63€
100+
0.53€
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NPN-Transistor TIP132, TO-220, 100V, 8A, 8A, TO220, 100V. Gehäuse: TO-220. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 8A. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 500. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: -. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP132. Id(imp): 12A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 8A. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 4pF. Leistung: 70W. MSL: -. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 4 v. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 70W. Maximaler hFE-Gewinn: 15000. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: THT. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Serie: TIP132. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP137. Strom max 1: 8A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TIP132
45 Parameter
Gehäuse
TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
8A
Kollektorstrom
8A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
500
Darlington-Transistor?
ja
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-220AB
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
TIP132
Id(imp)
12A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A]
8A
Komponentenfamilie
Darlington NPN-Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
4pF
Leistung
70W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
4 v
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
70W
Maximaler hFE-Gewinn
15000
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
1000
Montage/Installation
THT
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
70W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Serie
TIP132
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) TIP137
Strom max 1
8A
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
Typ
Darlington-Transistor
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics