NPN-Transistor TIP142, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

NPN-Transistor TIP142, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
2.45€
5-29
2.18€
30-59
1.99€
60-89
1.84€
90+
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NPN-Transistor TIP142, TO-247, 100V, 10A, 10A, TO-247, 100V. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 10A. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Collector-Base-Spannung VCBO: 100V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 500. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP142. Ic(Impuls): 20A. Information: -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 60pF. Leistung: 125W. MSL: -. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Serie: TIP142. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP147. Strom max 1: 10A. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Technologie: Monolithisches Darlington. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. Typ: Darlington-Transistor. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TIP142
44 Parameter
Gehäuse
TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
10A
Kollektorstrom
10A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
ja
Collector-Base-Spannung VCBO
100V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
500
Darlington-Transistor?
ja
Funktion
Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
TIP142
Ic(Impuls)
20A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Komponentenfamilie
Darlington NPN-Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
60pF
Leistung
125W
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
125W
Maximaler hFE-Gewinn
1000
Minimaler hFE-Gewinn
500
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Polarität
NPN
RoHS
ja
Serie
TIP142
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) TIP147
Strom max 1
10A
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Technologie
Monolithisches Darlington
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
Typ
Darlington-Transistor
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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